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自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器及储备池元件 

申请/专利权人:TDK株式会社

申请日:2019-01-31

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN113330582B

主分类号:H01L29/82

分类号:H01L29/82

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.28#授权;2021.09.17#实质审查的生效;2021.08.31#公开

摘要:本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备:第一绝缘层,其具有第一开口和第二开口;第一导电部,其形成于所述第一开口内;第二导电部,其形成于所述第二开口内;自旋轨道转矩配线,其位于所述第一绝缘层的第一方向,从所述第一方向观察,遍及所述第一导电部和所述第二导电部沿第二方向延伸;以及第一铁磁性层,其位于所述自旋轨道转矩配线的与所述第一绝缘层相反侧,所述第一导电部具有:第一面,其面向所述自旋轨道转矩配线;第二面,其与所述第一面相对且位于相较于所述第一面更远离自旋轨道转矩配线的位置;以及侧面,其将所述第一面和所述第二面相连,所述侧面具有:连续的主面;以及相对于所述主面倾斜或弯曲且相对于所述主面不连续的第三面。

主权项:1.一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件,其特征在于,具备:第一绝缘层,其具有第一开口和第二开口;第一导电部,其形成于所述第一开口内;第二导电部,其形成于所述第二开口内;自旋轨道转矩配线,其位于所述第一绝缘层的第一方向,从所述第一方向观察,遍及所述第一导电部和所述第二导电部沿第二方向延伸;以及第一铁磁性层,其位于所述自旋轨道转矩配线的与所述第一绝缘层相反侧,所述第一导电部具有:第一面,其面向所述自旋轨道转矩配线;第二面,其与所述第一面相对且位于相较于所述第一面更远离自旋轨道转矩配线的位置;以及侧面,其将所述第一面和所述第二面相连,所述侧面具有:连续的主面;以及相对于所述主面倾斜或弯曲且相对于所述主面不连续的第三面,所述第三面与所述自旋轨道转矩配线的作为所述第二方向的端面的第一侧面相接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: TDK株式会社 自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器及储备池元件

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