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申请/专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日：2023-12-25
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263112A
主分类号：H01L21/311
分类号：H01L21/311
优先权：["20221226 JP 2022-208694"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种可靠性高的半导体元件的制造方法。半导体元件的制造方法包括如下的工序：准备具有半导体结构体、树脂部件和第一绝缘膜的结构体；在位于第一面之上的第一绝缘膜之上和位于树脂部件表面之上的第一绝缘膜之上连续形成覆盖部件；在覆盖部件之上形成抗蚀剂膜，将覆盖部件中位于树脂部件表面之上的覆盖部件除去，由此在位于第一面之上的第一绝缘膜之上残留覆盖部件；利用将覆盖部件用于掩模的蚀刻，将在俯视时位于不与覆盖部件重叠的区域的第一绝缘膜及树脂部件除去；将覆盖部件除去，将第一绝缘膜及树脂部件除去的工序中的对覆盖部件的蚀刻速率比将第一绝缘膜及树脂部件除去的工序中的对抗蚀剂膜的蚀刻速率低。
主权项：1.一种半导体元件的制造方法，其中，具有如下的工序：准备结构体，该结构体具有：半导体结构体，其具有第一面、位于所述第一面相反侧的第二面、连接所述第一面和所述第二面的第三面；树脂部件，其配置在所述第二面侧，覆盖所述第二面和所述第三面；第一绝缘膜，其与所述第一面及俯视时与所述第一面相邻的所述树脂部件的表面连续配置；在位于所述第一面之上的所述第一绝缘膜之上和位于所述树脂部件的所述表面之上的所述第一绝缘膜之上连续形成覆盖部件；在所述覆盖部件之上形成抗蚀剂膜，将所述覆盖部件中位于所述树脂部件的所述表面之上的所述覆盖部件除去，由此在位于所述第一面之上的所述第一绝缘膜之上残留所述覆盖部件；在残留所述覆盖部件的工序之后，利用将所述覆盖部件用于掩模的蚀刻，将俯视时位于不与所述覆盖部件重叠的区域的所述第一绝缘膜及所述树脂部件除去；在将所述第一绝缘膜及所述树脂部件除去的工序之后，将所述覆盖部件除去，将所述第一绝缘膜及所述树脂部件除去的工序中的对所述覆盖部件的蚀刻速率比将所述第一绝缘膜及所述树脂部件除去的工序中的对所述抗蚀剂膜的蚀刻速率低。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日亚化学工业株式会社 半导体元件的制造方法
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