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申请/专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日：2023-10-20
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN221239642U
主分类号：H01L33/06
分类号：H01L33/06;H01L33/08
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权
摘要：本实用新型提供了一种半导体发光元件，从下至上依次包括：衬底、缓冲层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，其中第一型半导体层由至少一个平台结构和与平台结构相邻的斜坡结构构成，平台结构组成的图形和或斜坡结构组成的图形呈阵列排布，多量子阱层包括位于平台结构上的平台量子阱结构和位于斜坡结构上的斜坡量子阱结构。本实用新型中的多量子阱层包括平台量子阱结构和斜坡量子阱结构，且平台量子阱结构和斜坡量子阱结构分布规则，可以直接产生两种发光波长的光，以形成混合光，还可以提高发光效率。
主权项：1.一种半导体发光元件，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、缓冲层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，其中所述第一型半导体层由至少一个平台结构和与所述平台结构相邻的斜坡结构构成，所述平台结构组成的图形和或所述斜坡结构组成的图形呈阵列排布，所述多量子阱层包括位于所述平台结构上的平台量子阱结构和位于所述斜坡结构上的斜坡量子阱结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 半导体发光元件
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