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申请/专利权人：上海朔集半导体科技有限公司
摘要：一种模拟EEPROM及其控制方法、模拟控制器、存储介质。所述模拟控制器，适于在接收到所述写操作请求后，控制所述SRAM控制单元执行写操作，并监测Flash写入指示信息是否发生变化，并在监测到Flash写入指示信息指示向Flash存储单元中写入数据后，控制Flash控制单元将所述SRAM存储单元未更新至所述Flash存储单元的数据，写入至所述Flash存储单元中。采用上述方案，可以提高基于Flash和SRAM模拟EEPROM的写操作效率。
主权项：1.一种模拟控制器，其特征在于，所述模拟控制器应用于模拟EEPROM中，所述模拟EEPROM，包括：SRAM单元、Flash单元及模拟控制单元；所述SRAM单元包括：SRAM控制单元及SRAM存储单元；所述Flash单元包括：Flash控制单元及Flash存储单元；所述模拟控制单元包括：模拟控制器及模拟寄存器；所述模拟寄存器中存储有Flash写入指示信息；所述SRAM控制单元，适于在模拟EEPROM的存储模式为模拟EEPROM模式时，接收写操作请求，将所述写操作请求发送至所述模拟控制器，并在所述模拟控制器的控制下将所述写操作请求中携带的数据写入至所述SRAM存储单元中；所述Flash控制单元，适于在所述模拟控制器的控制下，将所述SRAM存储单元未更新至所述Flash存储单元的数据，写入至所述Flash存储单元中；其中：所述模拟控制器，适于在接收到所述写操作请求后，控制所述SRAM控制单元执行写操作，并监测Flash写入指示信息是否发生变化，并在监测到Flash写入指示信息指示向Flash存储单元中写入数据后，控制Flash控制单元将所述SRAM存储单元未更新至所述Flash存储单元的数据，写入至所述Flash存储单元中。
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权利要求：
百度查询： 上海朔集半导体科技有限公司 模拟EEPROM及其控制方法、模拟控制器、存储介质
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