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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明提供了一种三卤化物的钙钛矿层、钙钛矿单结太阳能电池、钙钛矿硅叠层太阳能电池及其制备方法，钙钛矿层通过碘化铅无机骨架与阳离子反应制得，首先使用三源共蒸将氯化物与碘化铅、溴化铯进行真空沉积形成含有氯化物和溴化铯的PbI2前驱体薄膜，再旋涂阳离子反应退火形成钙钛矿层。本发明能够将Cl元素掺入到钙钛矿体相中，并实现钙钛矿带隙的调控，抑制了钙钛矿薄膜中因溴元素比例过多造成的卤素相分离，提高了钙钛矿薄膜的稳定性，同时钙钛矿单结太阳能电池和钙钛矿硅叠层太阳能电池的开路电压和光电转换效率提升明显。
主权项：1.一种三卤化物的钙钛矿层的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤1：采用蒸镀法制备PbI2前驱体薄膜，将PbI2，CsBr，氯化物三种材料分别放入三个蒸发源中进行共蒸，制备含有溴化铯和氯化物的碘化铅前驱体薄膜，其中蒸镀时保持真空度为1×10-3Pa～1×10-4Pa，基片旋转速度为5rpm～10rpm，碘化铅蒸镀速率为溴化铯蒸镀速率为氯化物蒸镀速率为碘化铅前驱体薄膜的厚度为200nm～300nm；步骤2：配置阳离子溶液，其中甲脒氢碘酸盐的浓度为0.4molL～0.7molL，甲脒氢溴酸盐的浓度为0.05molL～0.2mol，甲基氯化铵的浓度为0.05molL～0.2molL。步骤3：旋涂配置好的阳离子，退火后形成含有三卤化物的钙钛矿层，其中旋涂阳离子的速度为2000rpm～5000rpm，旋涂时间为30s～60s，阳离子溶液旋涂结束后在湿度为20％RH～70％RH的条件下，100℃～170℃退火15min～30min，完成钙钛矿层的制备，钙钛矿的厚度为350nm～600nm。
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百度查询： 电子科技大学 一种三卤化物的钙钛矿层、钙钛矿单结太阳能电池、钙钛矿硅叠层太阳能电池及其制备方法
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