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申请/专利权人：洛阳鸿泰半导体有限公司
摘要：本发明公开一种用于IGBT器件制造的三维半导体衬底晶圆及其制备方法。该三维半导体衬底晶圆包括半导体衬底晶圆、第一导通层、第二导通层与场基层、集电层和保护层，半导体衬底晶圆的背面设有若干个阵列分布的凹槽；第一导通层设于每个凹槽的表面；第二导通层与场基层设于半导体衬底晶圆未设有凹槽的背表面，第二导通层与场基层与第一导通层连接；集电层设于第一导通层和第二导通层与场基层的表面；保护层设于集电层的表面；其中，凹槽由多个阵列分布深入半导体衬底晶圆内部的掺杂体组成，第一导通层、集电层和保护层深入半导体衬底晶圆的内部。该制备方法用于制备该三维半导体衬底晶圆。
主权项：1.一种用于IGBT器件制造的三维半导体衬底晶圆，其特征在于，包括：半导体衬底晶圆，所述半导体衬底晶圆的背面设有若干个阵列分布的凹槽；第一导通层，所述第一导通层设于每个所述凹槽的表面；第二导通层与场基层，所述第二导通层与场基层设于所述半导体衬底晶圆未设有所述凹槽的背表面，所述第二导通层与场基层与所述第一导通层连接；集电层，所述集电层设于所述第一导通层和所述第二导通层与场基层的表面；保护层，所述保护层设于所述集电层的表面；其中，所述凹槽由多个阵列分布深入所述半导体衬底晶圆内部的掺杂体组成，所述第一导通层、所述集电层和所述保护层深入所述半导体衬底晶圆的内部。
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百度查询： 洛阳鸿泰半导体有限公司 一种用于IGBT器件制造的三维半导体衬底晶圆及其制备方法
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