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申请/专利权人：上海合谱微电子技术有限公司
摘要：本申请实施例提供一种射频器件及其制造方法，其中，射频器件包括：碳化硅衬底及依次形成在碳化硅衬底之上的碳化硅缓冲层、碳化硅埋层、碳化硅外延层；碳化硅基区注入区和碳化硅集电极注入区形成在碳化硅外延层内，且通过氧化物隔离区隔离；碳化硅基极接触注入区和碳化硅发射极注入区形成在碳化硅基区注入区内，且与碳化硅基极接触注入区间隔设置；基极金属形成在碳化硅基极接触注入区之上；发射极金属形成在碳化硅发射极注入区之上；集电极金属形成在碳化硅集电极注入区之上。本申请实施例提供的射频器件及其制造方法利用碳化硅材料制成射频器件，具有较高的线性增益及较高的效率，并且制造成本大幅降低。
主权项：1.一种射频器件，其特征在于，包括：碳化硅衬底；碳化硅缓冲层，形成于碳化硅衬底的上方；碳化硅埋层，形成在碳化硅缓冲层的上方；碳化硅外延层，形成在碳化硅埋层的上方；碳化硅基区注入区，形成在碳化硅外延层内；碳化硅集电极注入区，形成在碳化硅外延层内，且与碳化硅基区注入区之间通过氧化物隔离区隔离；碳化硅基极接触注入区，形成在碳化硅基区注入区内；碳化硅发射极注入区，形成在碳化硅基区注入区内，且与碳化硅基极接触注入区间隔设置；基极金属，形成在碳化硅基极接触注入区之上；发射极金属，形成在碳化硅发射极注入区之上；集电极金属，形成在碳化硅集电极注入区之上；所述碳化硅衬底、碳化硅埋层、碳化硅外延层、碳化硅发射极注入区与碳化硅集电极注入区为第一掺杂类型；碳化硅缓冲层、碳化硅基区注入区、碳化硅基极接触注入区为第二掺杂类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海合谱微电子技术有限公司 射频器件及其制造方法
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