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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种IGBT器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底中以及正、背面分别形成有IGBT的正面结构和背面结构；形成正面衔接金属层和背面衔接金属层；进行碱蚀和酸蚀处理；通过电化学镀工艺分别形成正面金属堆叠结构和背面金属堆叠结构；进行热处理。本申请通过在电化学镀工艺形成正面金属堆叠结构和背面金属堆叠结构之后，对电化学镀工艺之后的半导体结构进行热处理，可以有效修复背面衔接金属层与背面金属堆叠结构之间存在的孔隙，去除两相膜层间的应力，同时增强膜层间的原子扩散，提高两相膜层的结合力，避免了后续封装时高温产生的应力急剧释放造成的背面衔接金属层与背面金属堆叠结构分离的情况。
主权项：1.一种IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，采用IGBT正面工艺在衬底内和衬底正面制备出IGBT的正面结构，以及在衬底内和衬底背面制备出IGBT的背面结构；分别形成正面衔接金属层和背面衔接金属层，所述正面衔接金属层覆盖所述正面结构，所述背面衔接金属层覆盖所述背面结构；对形成所述正面衔接金属层、所述背面衔接金属层之后的半导体结构进行碱蚀和酸蚀处理；通过电化学镀工艺分别形成正面金属堆叠结构和背面金属堆叠结构，所述正面金属堆叠结构覆盖所述正面衔接金属层，背面金属堆叠结构覆盖所述背面衔接金属层；以及对形成所述正面金属堆叠结构、所述背面金属堆叠结构之后的半导体结构进行热处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 IGBT器件的制造方法
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