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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：在制造包括FinFET的半导体器件的方法中，形成鳍结构，鳍结构具有由SiGe制成的上部鳍结构和由与上部鳍结构不同的材料制成的底部鳍结构，在鳍结构上方形成覆盖层，对由覆盖层覆盖的鳍结构执行热操作，以及在上部鳍结构的源极漏极区域中形成源极漏极外延层。热操作改变上部鳍结构中的锗分布。本发明的实施例还涉及半导体器件。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括鳍式场效应晶体管FinFET，所述方法包括：形成鳍结构，所述鳍结构具有由SiGe制成的上部鳍结构和由与所述上部鳍结构不同的材料制成的底部鳍结构；在所述鳍结构上方形成覆盖层；对由所述覆盖层覆盖的所述鳍结构执行热操作；以及在所述上部鳍结构的源极漏极区域中形成源极漏极外延层，其中，所述热操作改变所述上部鳍结构中的锗分布，其中，在所述热操作之后，所述上部鳍结构的表面处或附近的Ge浓度高于所述上部鳍结构的中心处的Ge浓度。
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权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体器件的方法和半导体器件
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