龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了三维3D存储器件及其形成方法。在某些方面，一种3D存储器件包括：堆叠结构，其包括交错的导电层和电介质层；沟道结构，其延伸穿过所述堆叠结构；以及掺杂半导体层。沟道结构包括存储器膜和半导体沟道。半导体沟道包括掺杂部分和未掺杂部分。半导体沟道的掺杂部分的一部分在第一方向上延伸超过堆叠结构。掺杂半导体层的一部分与半导体沟道的掺杂部分的延伸超过堆叠结构的部分的侧壁接触。
主权项：1.一种三维3D存储器件，包括：堆叠结构，其包括交错的导电层和电介质层；延伸穿过所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括存储器膜和半导体沟道，其中，所述半导体沟道包括掺杂部分和未掺杂部分，并且所述半导体沟道的所述掺杂部分的一部分在第一方向上延伸超过所述堆叠结构；以及掺杂半导体层，其中，所述掺杂半导体层的一部分与所述半导体沟道的所述掺杂部分的延伸超过所述堆叠结构的所述部分的侧壁和顶表面接触，其中，所述半导体沟道的所述掺杂部分在与所述第一方向相反的第二方向上延伸超过所述导电层中的一个导电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器件及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号