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申请/专利权人：上海矽睿科技股份有限公司
摘要：本申请涉及一种传感器制备方法及传感器，该方法包括：对第一晶圆进行氧化物沉积，并对第一晶圆的第一侧沉积的氧化物进行图形化刻蚀；在第一晶圆的第一侧进行硅沉积、掺杂构成第一多晶硅层，以作为第一导电层；在第一导电层进行氧化物沉积，并对沉积的氧化物进行图形化刻蚀，得到绝缘层；在绝缘层进行硅沉积、掺杂构成第二多晶硅层，以作为第二导电层；将第二晶圆与第二导电层进行键合；对第一晶圆的第二侧进行金属沉积，得到金属层；对第一晶圆的第二侧进行刻蚀，生成敏感结构，并至少释放部分敏感结构；将密封盖层与第一晶圆的第二侧的键合点进行键合，并露出焊点。无需采用多晶硅外延工艺，工艺简化，降低了制备成本。
主权项：1.一种传感器制备方法，其特征在于，包括：对第一晶圆进行氧化物沉积，并对所述第一晶圆的第一侧沉积的氧化物进行图形化刻蚀；在所述第一晶圆的第一侧进行硅沉积、掺杂构成第一多晶硅层，以作为第一导电层；所述第一导电层至少部分用于电连接；在所述第一导电层进行氧化物沉积，并对沉积的氧化物进行图形化刻蚀，得到绝缘层；在所述绝缘层进行硅沉积、掺杂构成第二多晶硅层，以作为第二导电层；所述第二导电层至少部分用于电连接；将第二晶圆与所述第二导电层进行键合；所述第二晶圆用于电连接；对所述第一晶圆的第二侧进行金属沉积，得到金属层；所述金属层包括焊点和键合点；对所述第一晶圆的第二侧进行刻蚀，生成敏感结构，并至少释放部分敏感结构；将密封盖层与所述第一晶圆的第二侧的键合点进行键合，并露出所述焊点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海矽睿科技股份有限公司 传感器制备方法及传感器
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