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申请/专利权人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，提供一种SiC单晶衬底中的微管治愈方法及装置，本发明通过微管治愈方法对SiC单晶衬底中的微管进行治愈，制备出完全无微管的SiC单晶衬底。本发明还提供一种SiC单晶衬底微管治愈装置，包括石墨坩埚和SiC单晶衬底夹持装置；其中，所述石墨坩埚开口朝上，所述SiC单晶衬底夹持装置位于石墨坩埚上方。本发明提供一种SiC单晶衬底中的微管治愈方法及装置，可以使微管内的空气全部排出，制备出完全无微管的SiC单晶衬底。使用本发明的微管治愈方法及装置，可以有效提高SiC单晶的成品率和衬底的有效使用面积。
主权项：1.一种SiC单晶衬底中的微管治愈方法，其特征在于，包括：步骤一，将硅粉与金属Cr置于SiC单晶衬底微管治愈装置的石墨坩埚中，用石墨坩埚上方的石墨夹具将SiC单晶衬底紧固，以使衬底的上表面无覆盖物，并控制石墨夹具上部连接的中心杆将SiC单晶衬底移动至石墨坩埚上方；步骤二，将SiC单晶衬底微管治愈装置置于SiC单晶生长炉的炉腔中，密封后抽真空，当真空度达到1×10-4～1×10-2Pa，向炉腔内充惰性气体，使炉腔压力保持在600～1500mbar；步骤三，将SiC单晶生长炉升温至1500～1800℃，使硅粉与石墨坩埚内壁反应生成SiC熔液，继续升温，当熔液液面温度达到1800～2100℃时，保温2～5h；步骤四，将所述中心杆向下移动至SiC单晶衬底下表面与熔液液面一致的位置，停止移动；步骤五，保持步骤四状态0.5～5h，将中心杆上移使SiC单晶衬底下表面在熔液液面上方10～100mm处停止移动；步骤六，将SiC单晶生长炉温度降至室温，开炉取出SiC单晶衬底，得无微管SiC单晶衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 一种SiC单晶衬底中的微管治愈方法及装置
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