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申请/专利权人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种抗辐照的NPN结构，包括：集电区、表面重掺杂基区和深发射区，其中基区及发射区较常规结构不同，特殊结构用标号指出；通过在硅表面刻蚀凹槽并用多晶硅填充，最后在该凹槽注入N型杂质在凹槽底部形成发射区；基区表面采用P型重掺杂；本发明通过将发射极远离厚氧化物并且允许基区与氧化物接触的地方能够采用较高的掺杂浓度，从而减小氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷对基区表面的影响。
主权项：1.一种抗辐照的NPN结构，其特征在于，包括：集电区、表面重掺杂基区和深发射区；该结构的集电区与常规NPN的集电区类似；深发射区嵌入到表面重掺杂基区内，且深发射区上表面填充有多晶硅，多晶硅与表面重掺杂基区之间设置有薄氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 一种抗辐照的NPN结构
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