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一种中空氮掺杂碳/SnSe复合物以及制备和应用 

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申请/专利权人:西京学院

摘要:本发明公开了一种中空氮掺杂碳SnSe复合物以及制备和应用,所述复合物包括分布均匀的中空球状结构的碳材料和碳材料外表面生长沉积的SnSe纳米粒子;所述碳材料的壳层厚度平均为10nm,所述SnSe纳米粒子的粒径均匀。本发明解决了现有技术活性位点不多,电化学稳定性仍然不好的问题。本发明通过简单的溶剂热法辅助热处理法,合成了中空结构的氮掺杂碳SnSe复合物,利用中空结构与碳材料结合的优势,可从内至外协同抑制SnSe的体积膨胀,提高了复合物的导电性和结构稳定性。本发明反应条件温和,合成工艺简单可控,所得样品形貌均匀且分散性好,将其制备成钾离子电池负极材料时展现出了较好的电化学性能。

主权项:1.一种中空氮掺杂碳SnSe复合物,其特征在于,所述复合物包括分布均匀的中空球状结构的碳材料和碳材料外表面生长沉积的SnSe纳米粒子;所述碳材料的壳层厚度平均为10nm,所述SnSe纳米粒子粒径均匀。

全文数据:

权利要求:

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