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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别是涉及一种用于氧化镓的激光退火工艺。本发明工艺包括以下步骤：对电极和氧化镓的接触界面进行激光退火；所述激光退火的激光能量为0.05J·cm‑2～5J·cm‑2，波长为200～1000nm，扫描速度为100mms～1000mms。本发明实现了氧化镓与电极的欧姆接触，实现了低的比接触电阻率。本发明使用激光退火可以不用考虑氧化镓器件的加工顺序，氧化镓晶圆的背面工艺对器件正面功能不作影响。本发明相比于快速热退火下单片氧化镓只能在唯一的温度下退火，激光退火可以在单片氧化镓衬底上进行不同工艺参数下的退火，提高晶片的利用率，简化氧化镓器件制备流程。
主权项：1.一种用于氧化镓的激光退火工艺，其特征在于，包括以下步骤：对电极和氧化镓的接触界面进行激光退火；所述激光退火的激光能量为0.05J·cm-2～5J·cm-2，波长为200～1000nm，扫描速度为100mms～1000mms。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种用于氧化镓的激光退火工艺
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