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申请/专利权人:武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要:本发明提供了一种激光退火装置以及激光退火方法,激光退火装置包括:激光发射器,用于向半导体结构表面发射激光,以对所述半导体结构进行退火;检测光发射器,用于向所述半导体结构表面被退火后的区域发射检测光,所述检测光与所述半导体结构相互作用产生散射光;散射光检测器,用于对所述散射光进行检测,以根据所述散射光分析出所述半导体结构表面被退火后的区域的成分,并输出所述成分对应的信号;第一控制器,用于接收所述成分对应的信号,并根据接收到的所述成分对应的信号判断所述成分是否满足要求;若否,则所述第一控制器调节所述激光发射器发出的所述激光的功率。本发明的技术方案使得能够提高对退火温度范围的控制精度。
主权项:1.一种激光退火装置,其特征在于,包括:激光发射器,用于向半导体结构表面发射激光,以对所述半导体结构进行退火;检测光发射器,用于向所述半导体结构表面被退火后的区域发射检测光,所述检测光与所述半导体结构相互作用产生散射光;散射光检测器,用于对所述散射光进行检测,以根据所述散射光分析出所述半导体结构表面被退火后的区域的成分,并输出所述成分对应的信号;第一控制器,用于接收所述成分对应的信号,并根据接收到的所述成分对应的信号判断所述成分是否满足要求;若否,则所述第一控制器调节所述激光发射器发出的所述激光的功率。
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