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申请/专利权人：陕西理工大学

摘要：本发明公开了一种SACM结构InSb‑APD中红外探测器，包括从下至上的N型InP衬底、N型InP缓冲层、非有意掺杂的InSb倍增层、P型InSb电荷层、P型InSb吸收层、P型GaSb接触层；P型GaSb接触层的上方设有上电极层，N型InP缓冲层的上方设有下电极层；还包括覆盖在探测器侧表面的钝化层。本发明还涉及上述探测器的制备方法。本发明利用禁带较宽的半导体材料作为上下接触层，形成双异质结结构，抑制扩散电流。

主权项：1.SACM结构InSb-APD中红外探测器，其特征在于：包括从下至上的N型InP衬底、N型InP缓冲层、非有意掺杂的InSb倍增层、P型InSb电荷层、P型InSb吸收层、P型GaSb接触层；P型GaSb接触层的上方设有上电极层，N型InP缓冲层的上方设有下电极层；还包括覆盖在所述探测器侧表面的钝化层；所述的SACM结构InSb-APD中红外探测器的制备方法，具体包括如下步骤：步骤1，N型InP缓冲层的制备：室温条件下，使用InP靶材，施主掺杂剂，在N型InP衬底上采用磁控溅射的方法，室温条件下沉积一层N型InP缓冲层；步骤2，本征InSb倍增层的制备：室温条件下，使用InSb靶材，采用磁控溅射法，在步骤1得到的N型InP缓冲层上沉积一层非有意掺杂的InSb倍增层；步骤3，P型InSb电荷层的制备：室温条件下，使用InSb靶材，受主掺杂剂，采用磁控溅射法，在步骤2制备得到的InSb倍增层表面上，沉积P型InSb电荷层；步骤4，P型InSb吸收层的制备：室温条件下，使用InSb靶材，受主掺杂剂，采用磁控溅射法，在步骤3制备得到的P型InSb电荷层上，沉积一层P型InSb吸收层；步骤5，P型GaSb接触层的制备：室温条件下，使用GaSb靶材，受主掺杂剂，采用磁控溅射法，在步骤4制备得到的P型InSb吸收层上，沉积一层P型GaSb接触层；步骤6，钝化层的制备：室温条件下，使用SiO2靶材，采用磁控溅射法，在步骤5制备得到P型GaSb接触层表面上，采用掩膜工艺保留顶部红外入射窗口，其余表面沉积一层钝化层；步骤7，上电极层的制备：首先，在步骤5制备得到的P型GaSb接触层表面上采用lift-off剥离工艺制备出电极图形；然后，在室温条件下，采用磁控溅射或热蒸发镀膜的方法，在制备出的电极图形上沉积一层上电极层；步骤8，下电极层的制备：首先，在步骤6制备得到的钝化层表面上采用lift-off剥离工艺制备出电极图形；然后，在室温条件下，采用磁控溅射或热蒸发镀膜的方法，在制备出的电极图形上沉积一层下电极层。

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百度查询： 陕西理工大学 SACM结构InSb-APD中红外探测器及制备方法