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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本说明书实施例提供了一种实时提取失效过程中FeFET界面层及栅介质层内部缺陷信息的测试方法及装置，其中，方法包括：进行脉冲测试前铁电场效应管的预极化方向的设置，并设置脉冲测试参数；进行脉冲测试，得到PV值并进行噪声测试得到电流噪声功率谱密度，在施加脉冲下降沿结束后测量得到其原漏电流，基于原漏电流计算得到相应的偏移测试电压ΔVth，并得到脉冲测试中不同栅极测试电压Vgate下测试数据Tch间隔时间t与ΔVth的关系；根据PV值得到铁电层内部电场，基于铁电层内部电场，根据Vgate、ΔVth、以及t，采用LFN方法测量出氧化物隔离层的第一缺陷信息，采用改进的TSCIS方法测量出介电层的第二缺陷信息并进行整合。
主权项：1.一种实时提取失效过程中FeFET界面层及栅介质层内部缺陷信息的测试方法，其特征在于，包括：进行脉冲测试前铁电场效应管的预极化方向的设置，并设置脉冲测试参数；进行脉冲测试，得到PV值并进行噪声测试得到电流噪声功率谱密度，在施加脉冲下降沿结束后测量得到其原漏电流，基于所述原漏电流计算得到相应的偏移测试电压ΔVth，并得到脉冲测试中不同栅极测试电压Vgate下测试数据Tch间隔时间t与ΔVth的关系；根据PV值得到铁电层内部电场，基于铁电层内部电场，根据Vgate、ΔVth、以及t，采用LFN方法测量出氧化物隔离层的第一缺陷信息，采用改进的TSCIS方法测量出介电层的第二缺陷信息，将所述第一缺陷信息和所述第二缺陷信息进行整合，计算得到相应缺陷空间位置、缺陷密度以及缺陷能级位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 FeFET界面层及栅介质层内部缺陷信息的测试方法及装置
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