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申请/专利权人：西安格易安创集成电路有限公司

摘要：本发明提供一种ESD防护电路及芯片，所述ESD防护电路包括分别耦接在芯片的高电压引脚和地之间的RC延时电路、偏置电路、泄放控制电路和ESD电流泄放电路，RC延时电路包括延时电阻和由n+1个电容串联而成的电容串，偏置电路向电容串内部的各个串联节点提供所需的偏置电压，泄放控制电路包括NMOS控制管和由n+1个PMOS控制管依次串联形成的PMOS控制管串，ESD电流泄放电路包括由n+1个NMOS泄放管依次串联形成的NMOS泄放管串。ESD防护电路中的各个MOS管的最大工作电压均低于高电压管脚的支持电压，由此该ESD防护电路不需要使用额外的高压器件或者专用的高压ESD防护器件，电路结构简洁并具有可扩展性，降低了芯片成本。

主权项：1.一种ESD防护电路，其特征在于，包括：RC延时电路，包括延时电阻和n+1个电容，n为整数且n≥1，n+1个电容依次串联形成电容串，所述延时电阻的一端耦接一芯片的高电压管脚，另一端耦接所述电容串的一端，所述电容串的另一端接地；偏置电路，分别耦接所述电容串内部的n个串联节点，以向所述电容串内部的n个所述串联节点提供偏置电压；泄放控制电路，包括NMOS控制管和n+1个PMOS控制管，所述n+1个PMOS控制管依次串联形成PMOS控制管串，所述PMOS控制管串中的第一个PMOS控制管的源极耦接所述高电压管脚，最后一个PMOS控制管的漏极耦接所述NMOS控制管的漏极，所述NMOS控制管的源极接地，所述第一个PMOS控制管的栅极耦接所述延时电阻的另一端，所述PMOS控制管串的其余n个PMOS控制管的栅极与所述电容串的n个串联节点一一对应且耦接；ESD电流泄放电路，包括n+1个NMOS泄放管，n+1个NMOS泄放管依次串联形成NMOS泄放管串，所述NMOS泄放管串中的第一个NMOS泄放管的漏极耦接所述高电压管脚，最后一个NMOS泄放管的源极接地，且所述NMOS泄放管串中各个NMOS泄放管的栅极与所述PMOS控制管串中的各个PMOS管的漏极一一对应且耦接；其中，所述NMOS控制管、各个所述PMOS控制管和各个所述NMOS泄放管的最大工作电压均小于所述高电压管脚的支持电压。

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权利要求：

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