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申请/专利权人：铠侠股份有限公司
摘要：实施方式提供包括磁阻效应元件的磁存储装置，所述磁阻效应元件设有具有优异特性的隧道势垒层。实施方式涉及的磁存储装置包括层叠构造10，所述层叠构造具备具有可变的磁化方向的第1磁性层11、具有固定了的磁化方向的第2磁性层12以及设在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间且含有镁Mg以及氧O的非磁性层13，所述非磁性层还含有从氟F、硫S、氢H以及锂Li选择的添加元素。
主权项：1.一种磁存储装置，其特征在于，包括层叠构造，所述层叠构造具备：第1磁性层，其具有可变的磁化方向；第2磁性层，其具有固定了的磁化方向；以及非磁性层，其设在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，含有镁即Mg以及氧即O，所述非磁性层还含有从氢即H以及锂即Li选择的添加元素，所述添加元素形成电荷补偿对。
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