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申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种存储器结构。存储器结构包含第一通道本体、第一源极区、第一漏极区、第一栅极结构与第二栅极结构。第一源极区具有第一导电类型且连接至第一通道本体的第一端。第一漏极区具有第二导电类型且连接至第一通道本体的第二端，第二端和第一端分离。第一栅极结构设置为相邻于第一通道本体且介于第一端与第二端之间。第二栅极结构设置为相邻于第一通道本体且介于第一端与第二端之间。
主权项：1.一种存储器结构，其中，包含：一第一通道本体；一第一源极区，具有一第一导电类型且连接至该第一通道本体的一第一端；一第一漏极区，具有一第二导电类型且连接至该第一通道本体的一第二端，该第二端和该第一端分离；一第一栅极结构，设置为相邻于该第一通道本体且介于该第一端与该第二端之间；一第二栅极结构，设置为相邻于该第一通道本体且介于该第一端与该第二端之间；一第二通道本体，该第二通道本体和该第一通道本体分离；一第二源极区，连接至该第二通道本体；一第二漏极区，连接至该第二通道本体，源极连接部，该第一源极区和该第二源极区通过该源极连接部相互连接；以及漏极连接部，该第一漏极区和该第二漏极区通过该漏极连接部相互连接。
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权利要求：
百度查询： 旺宏电子股份有限公司 存储器结构
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