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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种基于Tl离子注入的p沟道GaN异质结构及制备方法，自下而上包括：衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、非故意掺杂GaN层和p型GaN层：在p型GaN层上做了Tl离子注入，通过注入Tl离子在GaN层中引入应变之后实现晶体场分裂的逆转，通过引入应变改变价带顶部的顺序，使分离空穴态高于轻空穴态和重空穴态，在发生能带反转后，价带最大值处的空穴波函数将从具有主导的N‑px,y特征转变为N‑pz主导态，提高p沟道GaN异质结构的空穴迁移率。本发明通过在GaN中引入应力改变价带顶部的顺序，使分离空穴态高于轻空穴态和重空穴态，从而提高p沟道GaN异质结构的空穴迁移率，进而提高器件工作频率和输出功率及可靠性。
主权项：1.一种基于Tl离子注入的p沟道GaN异质结构，其特征在于，自下而上包括：衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、非故意掺杂GaN层和p型GaN层：在p型GaN层上做了Tl离子注入，通过注入Tl离子在GaN层中引入应变之后实现晶体场分裂的逆转，通过引入应变改变价带顶部的顺序，使分离空穴态高于轻空穴态和重空穴态，在发生能带反转后，价带最大值处的空穴波函数将从具有主导的N-px,y特征转变为N-pz主导态，提高p沟道GaN异质结构的空穴迁移率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种基于Tl离子注入的p沟道GaN异质结构及制备方法
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