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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：一种基于BCD工艺的低噪声低失调轨到轨运算放大器，包括轨到轨第一级放大器、采用增益提高技术的第二级放大器、AB类第三级放大器、轨到轨前馈级放大器；其中，轨到轨第一级放大器输入管偏置于亚阈值区以提高跨导电流效率，采用一倍电流镜均衡跨导，采用斩波调制技术消除电路失调与低频噪声；采用增益提高技术的第二级放大器大幅提高了低频增益；AB类第三级放大器，实现不同输入共模电平下的跨导均衡；轨到轨前馈级放大器与采用增益提高技术的第二级放大器共享信号路径以降低功耗；电路采用了带有前馈级的三级运放结构，由高增益配合动态失调消除技术抑制噪声与失调，由低增益的前馈通路保证高频特性，扩展放大器带宽；采用多径嵌套米勒补偿MNMC保证环路稳定；功耗低、噪声低，具有较大的带宽、较高的转换速率与较低的失调电压，能够满足高精度运放的应用需求，应用于各种高精度模拟前端。
主权项：1.一种基于BCD工艺的低噪声低失调轨到轨运算放大器，包括轨到轨第一级放大器1a、采用增益提高技术的第二级放大器2a、AB类第三级放大器3、轨到轨前馈级放大器4；其特征在于：其中，轨到轨第一级放大器1a的输出VOUTP1、VOUTN1分别与采用增益提高技术的第二级放大器2a的输入端PMOS管PM26、PMOS管PM27的栅极相连；采用增益提高技术的第二级放大器2a的输出端NMOS管PM10、NMOS管NM10的漏极分别与AB类第三级放大器3的输入端PMOS管PM13、NMOS管NM13的栅极相连；轨到轨前馈级放大器4的输入端NMOS管NM1、NMOS管NM2、PMOS管PM1、PMOS管PM2栅极与运放输入端VINP、VINN相连，其输出NMOS管NM1、NMOS管NM2、PMOS管PM1、PMOS管PM2漏极连接至采用增益提高技术的第二级放大器2a的电流源负载NMOS管NM7、NMOS管NM8、PMOS管PM7、PMOS管PM8漏极。
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百度查询： 西安电子科技大学 一种基于BCD工艺的低噪声低失调轨到轨运算放大器
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