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具有程序验证跳过的非易失性存储器 

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申请/专利权人:闪迪技术有限公司

摘要:本公开涉及具有程序验证跳过的非易失性存储器。通过将编程信号作为一系列编程电压脉冲或其它编程剂量施加到选定的存储器单元并且验证编程电压脉冲之间的存储器单元来对非易失性存储器单元进行编程。为了实现更紧密的阈值电压分布,使用包括编程电压脉冲之间的两步验证的粗略精细编程过程,该编程电压脉冲包括中间验证条件和最终验证条件。已达到中间验证条件的正被编程的存储器单元被减慢以进一步编程。已达到最终验证条件的正被编程的存储器单元被抑制进一步编程。为了减少执行的验证操作数量,本发明提出了一种系统,该系统针对一些编程电压脉冲在中间验证条件下跳过验证并且针对一些编程电压脉冲在最终验证条件下跳过验证。

主权项:1.一种非易失性存储装置,包括:多个非易失性存储器单元;和控制电路,所述控制电路连接到所述非易失性存储器单元,所述控制电路被配置为:执行将所述非易失性存储器单元编程到第一数据状态的编程过程,在所述编程过程期间针对所述第一数据状态的第一验证条件执行程序验证而不针对所述第一数据状态的第二验证条件执行程序验证,直到满足第一标准,在满足所述第一标准之后并且直到满足第二标准,在所述编程过程期间针对所述第一验证条件和所述第二验证条件执行程序验证,以及在满足所述第二标准之后,在所述编程过程期间针对所述第二验证条件执行程序验证而不针对所述第一验证条件执行程序验证。

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