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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：示例性蚀刻方法可包含将含氟前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中。方法可包含将含氢前驱物流入基板处理区域中。方法可包含将容纳在基板处理区域中的基板与含氟前驱物和含氢前驱物接触。基板可包含沟槽或凹陷特征，并且沿沟槽或特征的侧壁可形成间隔物。间隔物可包含多个层，包含含碳或含氮材料的第一层、含氧材料的第二层以及含碳或含氮材料的第三层。间隔物的第二层可设置在间隔物的第一层与第三层之间。方法也可包含移除含氧材料。
主权项：1.一种蚀刻方法，包括：将含氟前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中；将含氢前驱物流入所述基板处理区域中；将容纳在所述基板处理区域中的基板与所述含氟前驱物和所述含氢前驱物接触，其中所述基板包括沟槽，其中沿所述沟槽的侧壁形成间隔物，其中所述间隔物包含多个层，所述多个层包含含碳材料的第一层和含氧材料的第二层，并且其中所述间隔物的所述第二层邻近所述间隔物的所述第一层设置；以及移除所述含氧材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 形成气隙的系统及方法
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