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存储系统及其错误管理方法 

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申请/专利权人:芯方舟(上海)集成电路有限公司

摘要:本发明属于计算机技术领域,具体的涉及存储系统及其错误管理方法。本发明技术方案中,所述存储系统集成了ECC引擎的同时,在每一层DRAM晶片内设置有局部ECC模块;所述存储系统错误管理方法中,所述ECC引擎动态调整错误纠正阈值,局部ECC模块对每一层DRAM晶片内进行错误检测并将数据传输至ECC引擎,动态调整错误纠正阈值有效的平衡了系统性能与功耗,局部ECC模块的分布式错误处理机制加快了错误响应速度,减少了系统停机时间。因此,显著提高了三维堆叠DRAM系统的数据可靠性,降低了数据丢失风险。

主权项:1.一种存储系统,其特征在于,包括:DRAM模块,所述DRAM模块由多个DRAM晶片堆叠构成;其中,每个所述DRAM晶片内配置有局部ECC模块,所述局部ECC模块用于实现其所在DRAM晶片的错误检测及纠正逻辑,其中,所述局部ECC模块内包含了存算一体架构的SRAM,所述SRAM包含了SRAM检测位、错误纠正位,当所述错误纠正位为1时,不予纠正,当所述错误纠正位为0时,将输入待检测数据进行反相形成输入待检测反相数据,将所述反相数据进行纠正并写回至所述DRAM模块中;逻辑层,所述DRAM模块堆叠在所述逻辑层上,所述逻辑层内配置有DRAM存储控制器,所述DRAM存储控制器内配置有ECC引擎,所述ECC引擎用于对所述DRAM模块的数据读取和写入执行错误检测及纠正;其中,所述多个DRAM晶片之间及所述DRAM模块与所述逻辑层之间均通过硅通孔技术堆叠;冗余内存模块,当所述DRAM晶片或所述DRAM模块发生不可纠错的故障时,将所述DRAM晶片或所述DRAM模块内的数据迁移至所述冗余内存模块。

全文数据:

权利要求:

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