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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件及其制作方法、静态随机存储器、存储系统。所述方法包括：提供堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的栅极层、第一绝缘层、层间牺牲层和第二绝缘层，所述堆叠层包括核心区和台阶区；在所述核心区形成沟道结构，所述沟道结构包括贯穿所述堆叠层的沟道层；将所述层间牺牲层置换为导电结构，且所述导电结构与所述沟道层连接。本申请实施例能够减小半导体器件的体积，提高存储器的存储密度。
主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的栅极层、第一绝缘层、层间牺牲层和第二绝缘层，所述堆叠层包括核心区和台阶区；在所述核心区形成沟道结构，所述沟道结构包括贯穿所述堆叠层的沟道层；将所述层间牺牲层置换为导电结构，且所述导电结构与所述沟道层连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制作方法、静态随机存储器、存储系统
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