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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种大功率窄线宽的片上外腔激光器。所述大功率的片上外腔激光器由两个芯片混合集成，其中一个是输出带有倾角的增益芯片，另一个是带有滤波器的外腔芯片，该外腔芯片包括端面耦合器、相移器、模式复用器、第一采样光栅和第二采样光栅。增益芯片和外腔芯片经过端面耦合后形成激光器，经过相移器的调节，使激光在两个芯片之间形成振荡，可以实现大功率且高边模抑制比的片上激光输出。本发明可以实现大功率窄线宽高边模抑制比的片上激光输出，并且外腔芯片满足CMOS工艺流程，工艺简便。
主权项：1.一种大功率窄线宽的片上外腔激光器，其特征在于，由增益芯片和外腔芯片混合集成；所述增益芯片采用输出斜波导，用于形成宽普光并将其传输到所述外腔芯片中；所述外腔芯片包括模式复用器，相移器，第一采样光栅，第二采样光栅和端面耦合器；所述增益芯片的输出斜波导与外腔芯片经过端面耦合器实现端面耦合；光从端面耦合器输入波导，光信号传递至相移器，随后光信号被引入模式复用器的输入端，进入第一采样光栅后，满足布拉格条件的TE0模式的光会被反射转换成TE1光，进入模式复用器，经模式复用器处理后转换为TE0模式，TE0模式的光信号进入第二采样光栅，符合布拉格条件的光原路返回，经过第一采样光栅、模式复用器、相移器、端面耦合器然后进入增益芯片，在增益芯片和第二采样光栅之间循环往复，直至输出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种大功率窄线宽的片上外腔激光器
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