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申请/专利权人：株式会社斯库林集团
摘要：本发明提供一种能够容易地剥离含碳的薄膜的热处理方法及热处理装置。进行氢气退火，即，将成膜有包含掺杂剂及碳的薄膜的半导体晶片在包含氢气的氛围中加热至退火温度T1。之后，将腔室内从氢气氛围置换成氧气氛围，并在氧气氛围中将半导体晶片预加热至预加热温度T2后，进行将半导体晶片的表面以小于1秒的时间加热至峰值温度T3的闪光加热处理。通过在氧气氛围中对半导体晶片进行加热，将掺杂剂活化并促进薄膜中的碳与氛围中的氧的结合，从薄膜排出碳，从而防止薄膜硬化。结果，能够容易地将含碳的薄膜从半导体晶片剥离。
主权项：1.一种热处理方法，其特征在于，通过对衬底照射光而对该衬底进行加热，且具备：收容步骤，将隔着自然氧化膜形成有包含掺杂剂及碳的薄膜的衬底收容在腔室内；氧化氛围形成步骤，向所述腔室内供给氧化性气体，从而形成氧化氛围；及加热步骤，对所述衬底照射光，从而对所述衬底进行加热；所述加热步骤包含：预加热步骤，从连续点亮灯向所述衬底照射光；闪光加热步骤，在所述预加热步骤之后，从闪光灯向所述衬底照射闪光；及退火步骤，在所述预加热步骤前，通过来自所述连续点亮灯的光照射将所述衬底维持在比所述预加热步骤中的所述衬底的温度低的温度；所述退火步骤是通过在所述腔室内形成氢气氛围而进行，使所述薄膜中所含的所述掺杂剂的原子在所述自然氧化膜中扩散，并集积在所述衬底的表面与所述自然氧化膜的界面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社斯库林集团 热处理方法及热处理装置
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