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用于EUV光刻的光学配置 

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申请/专利权人:卡尔蔡司SMT有限责任公司

摘要:本发明关于一种用于EUV光刻的光学配置,包括:至少一个具有主体32的部件23,该主体具有在该光学配置的操作期间暴露于活性氢H+、H*的至少一个表面区域30,其中该主体32包含至少一个材料,其在接触表面区域30时与该活性氢H+、H*形成至少一个挥发性氢化物。在该表面区域上,将贵金属离子38植入该主体32,以避免形成该挥发性氢化物。

主权项:1.一种用于EUV光刻的光学配置1,其包括:至少一个具有主体32的部件16、23、27,该主体具有在该光学配置1的操作期间暴露于活性氢H+、H*的至少一个表面区域30、30a,b,其中该主体32包含至少一个材料,其接触该表面区域30、30a,b时与该活性氢H+、H*形成至少一个挥发性氢化物,其特征在于,在该表面区域30、30a,b处将贵金属离子38植入该主体32。

全文数据:

权利要求:

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