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半导体器件 

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申请/专利权人:三星电子株式会社

摘要:一种半导体器件包括:衬底,所述衬底具有有源区;栅极结构,所述栅极结构位于所述衬底中、与所述有源区交叉,并在第一水平方向上延伸;位线结构,所述位线结构与所述栅极结构交叉并在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上延伸;接触插塞,所述接触插塞位于所述位线结构之间;着陆焊盘结构,所述着陆焊盘结构在所述接触插塞上并且包括下着陆焊盘和位于所述下着陆焊盘上的上着陆焊盘,所述下着陆焊盘包括阻挡层和位于所述阻挡层上的金属层;以及绝缘图案,所述绝缘图案位于所述下着陆焊盘上并接触所述上着陆焊盘的侧表面。所述上着陆焊盘一体地耦接到所述金属层。所述绝缘图案的侧表面包括朝向所述位线结构当中的邻近位线结构的凹形弯曲表面。

主权项:1.一种半导体器件,所述半导体器件包括:衬底,所述衬底包括有源区;栅极结构,所述栅极结构位于所述衬底中,所述栅极结构与所述有源区交叉并在第一水平方向上延伸;位线结构,所述位线结构与所述栅极结构交叉并在第二水平方向上延伸,所述第二水平方向与所述第一水平方向相交;接触插塞,所述接触插塞位于所述位线结构之间;着陆焊盘结构,所述着陆焊盘结构位于所述接触插塞上并且包括下着陆焊盘和位于所述下着陆焊盘上的上着陆焊盘,所述下着陆焊盘包括阻挡层和位于所述阻挡层上的金属层,并且所述上着陆焊盘一体地耦接到所述金属层;以及绝缘图案,所述绝缘图案位于所述下着陆焊盘上并且接触所述上着陆焊盘的侧表面,所述绝缘图案的侧表面包括朝向所述位线结构当中的邻近位线结构的凹形弯曲表面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 半导体器件

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