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一种基于萘芳香胺小分子化合物埋底修饰的钙钛矿太阳能电池模组的制备方法 

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申请/专利权人:苏州黑冕光电科技有限公司

摘要:本发明公开了一种基于萘芳香胺小分子化合物埋底修饰的钙钛矿太阳能电池模组的制备方法,包括如下步骤:1萘芳香胺小分子异丙醇溶液的制备;2埋底界面的制备;3氧化镍空穴传输层的制备;4钙钛矿层的制备;5电子传输层和电极层的制备,完成钙钛矿太阳能电池模组的制备。本发明通过利用萘芳香胺小分子化合物来修饰氧化镍空穴传输层的埋底界面,提高了埋底界面的浸润性和稳定性,从而提高了钙钛矿层的成膜性和均一性以及钙钛矿太阳能电池模组的稳定性;而且萘芳香胺小分子化合物还可以钝化埋底界面的缺陷,从而增强了光生载流子的传输,进而提高了钙钛矿太阳能电池模组的光电转换效率。

主权项:1.一种基于萘芳香胺小分子化合物埋底修饰的钙钛矿太阳能电池模组的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、将萘芳香胺小分子化合物加入无水异丙醇中,搅拌至溶液澄清透明,备用;步骤S2、将ITO导电玻璃基板浸泡在步骤1所得的澄清透明溶液中1.5-2.5h,取出所述基板用干燥氮气吹干,然后再在100℃退火10min,最后将所述基板从加热台取下,室温静置10-20min,备用;步骤S3、将氧化镍纳米颗粒溶液采用狭缝涂布法涂覆于步骤S2中已用萘芳香胺小分子无水异丙醇澄清透明溶液浸泡处理后的ITO导电玻璃片基底上,150℃退火30min,得到致密氧化镍层;步骤S4、将钙钛矿前驱体溶液采用狭缝涂布法涂覆于步骤S3所得的氧化镍层上,150℃退火30min,得钙钛矿层;步骤S5、将步骤S4中已形成有钙钛矿层的ITO导电玻璃片基底转移至真空蒸镀仓中,在所述钙钛矿层上蒸镀富勒烯电子传输层,然后将所述基底移出真空蒸镀仓进行激光刻线,最后将激光刻线后的基底转入真空蒸镀仓蒸镀电极层金属铜,再将蒸镀电极层后的基底移出真空蒸镀仓进行太阳能电池的激光刻线,得到钙钛矿太阳能电池模组。

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