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用于控制飞溅的激光切割方法和系统及其半导体裸片 

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申请/专利权人:德州仪器公司

摘要:本申请涉及一种用于控制飞溅的激光切割方法和系统及其半导体裸片。一个实例提供一种方法700,所述方法包含沿着半导体衬底的表面的划片道将第一激光射束引导至所述表面702。将所述第一激光射束聚焦在所述衬底内部以形成第一修改区和第一裂缝,所述第一修改区在与所述第一激光射束的扫描方向正交的方向上从第二修改区偏移,所述第一裂缝在所述第二修改区与所述第一修改区之间延伸。将第二激光射束引导至所述表面以形成第三修改区和第二裂缝,所述第三修改区从所述第一和第二修改区偏移,所述第二裂缝从所述第一修改区延伸到所述表面704。所述第一和第二裂缝沿着所述划片道在所述衬底内形成Z形裂缝。

主权项:1.一种方法,其包括:将第一激光射束引导至半导体衬底的表面,所述第一激光射束沿着所述表面的划片道具有一进入点,其中所述第一激光射束聚焦在所述衬底内部以形成第一修改区和第一裂缝,所述第一修改区在与所述第一激光射束的扫描方向正交的方向上从第二修改区偏移,所述第一裂缝沿着与所述表面正交的方向在所述第二修改区与所述第一修改区之间延伸;以及将第二激光射束引导至所述表面,所述第二激光射束聚焦成在所述衬底内部具有第二焦点以形成第三修改区和第二裂缝,所述第三修改区在与所述第二激光射束的扫描方向正交的方向上从所述第一和第二修改区偏移,所述第二裂缝在与所述第二激光射束的扫描方向正交的方向上从所述第三修改区延伸到所述表面,所述第一和第二裂缝沿着所述划片道在所述衬底内形成Z形裂缝。

全文数据:

权利要求:

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