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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：提供光子结构，光子结构包含半导体基底、位于半导体基底之上的埋藏氧化物层、位于埋藏氧化物层之上的光耦合区、以及埋入半导体基底中的氧化物结构。光耦合区朝着光耦合区的端点渐缩，此端点位于半导体基底的边缘。在平面图中，光耦合区重叠氧化物结构。
主权项：1.一种光子结构，包括：一半导体基底；一埋藏氧化物层，位于该半导体基底之上；一光耦合区，位于该埋藏氧化物层之上，其中该光耦合区朝着该光耦合区的一终端渐缩，该终端位于该半导体基底的一边缘；以及一氧化物结构，埋入该半导体基底中，其中在平面图中，该光耦合区重叠该氧化物结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 光子结构
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