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申请/专利权人：九域半导体科技(苏州)有限公司
摘要：本实用新型涉及硅片检测技术领域，具体地说，涉及在线式JPV法测量具有异质结硅片的表面方阻测量装置，包括控制盒和JPV探头。本实用新型中，由控制盒驱使LED驱动电路，控制照射光源1向待测样片发射光线，激发待测样片产生表面光电压，表面光电压以待测样片表面上光线入射点为中心向外扩散，先后通过内电容板2和外电容板3，由放大模块将采集的信息放大并传输至控制盒，控制盒根据采集到的表面光电压，以及表面光电压先后通过内电容板2、外电容板3的电荷差计算待测样片的表面方阻。
主权项：1.在线式JPV法测量具有异质结硅片的表面方阻测量装置，其特征在于：包括控制盒和JPV探头，所述JPV探头包括LED驱动电路、测试结构和放大模块，所述测试结构包括照射光源1、内电容板2和外电容板3，所述控制盒连接所述LED驱动电路，所述LED驱动电路连接所述照射光源1，所述内电容板2、所述外电容板3均连接所述放大模块，所述放大模块连接所述控制盒；所述控制盒通过LED驱动电路控制所述照射光源1激发待测样片，并通过所述放大模块采集待测样片表面先后通过所述内电容板2、所述外电容板3的表面光电压以及电荷差。
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权利要求：
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