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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本发明涉及半导体器件制造工艺具体公开了一种射频大功率通孔型金刚石电阻器的制造工艺，包括如下步骤：制作通孔、制作金属电极：通过PVD物理气相沉积先在制得的含有通孔的金刚石通孔内镀种子层，再通过电镀将通孔填实作为金属电极；去除金刚石表面因通孔内镀种子层引入的面铜；镀环状电极层；镀电阻膜层。本发明提出一种新型的通孔型片式金刚石薄膜电阻器，通过金刚石基片通孔电镀的方式避免了外引电极，大大延长器件寿命，易于与其他器件集成；同时可在后续加工使用中通过键合等方式与其他产品直接应用于三维封装里。
主权项：1.一种射频大功率通孔型金刚石电阻器的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：1制作通孔：在清洗后的金刚石对角线上靠近一侧顶角处打两个通孔；2制作金属电极：通过PVD物理气相沉积先在步骤1制得的含有通孔的金刚石在通孔内镀种子层，再通过电镀将通孔填实作为金属电极；3去除金刚石表面的面铜：采用CMP工艺去除金刚石表面因通孔内镀种子层引入的面铜；4镀环状电极层：用光刻工艺将步骤3处理过的金刚石表面电极图案显影，再利用PVD物理气相沉积生长环状电极层；5镀电阻膜层：在步骤4得到的环状电极层表面用PVD物理气相沉积电阻膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种射频大功率通孔型金刚石电阻器的制造工艺
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