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一种基于InP HBT工艺的超宽带分布式功率检波器 

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申请/专利权人:中电国基南方集团有限公司

摘要:本发明公开了一种基于InPHBT工艺的超宽带分布式功率检波器,属于射频微波技术领域,本发明设计的能够直接应用于直检系统;输入阻抗为50Ω,采用两级分布式匹配结构实现了5GHz~44GHz的超宽带匹配,通过行波结构吸收有源器件负载电容,实现整个频带内输入回波损耗小于‑15dB;输出级采用射极跟随器结构减小了输出负载对内部电路的牵引,同时改善了检波速度;另外检波支路与参考支路采用对称结构,减小了共模干扰和温度变化对Vref‑Vdet输出的影响。本发明提供的检波器电路,具有高的灵敏度和良好的线性动态范围性能。

主权项:1.一种基于InPHBT工艺的超宽带分布式功率检波器,其特征在于,包括:检波模块、参考模块和偏置模块,所述检波模块包括第一HBT管Q1、第二HBT管Q2、第三HBT管Q3、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第五电感L5、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3;所述参考模块包括第四HBT管Q4、第五HBT管Q5、第六HBT管Q6、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9和第四电容C4;所述第一HBT管Q1的基极与第四电感L4的一端连接,第一HBT管Q1的集电极分别接第一电阻R1的一端、第二HBT管Q2的集电极以及第二电阻R2的一端,所述第二HBT管Q2的基极接第五电感L5的一端,所述第四电感L4的另一端分别连接第一电感L1的一端、第二电感L2的一端,第一电感L1的另一端通过第一电容C1与输入功率信号IN连接,第五电感L5的另一端分别接第二电感L2的另一端、第三电感L3的一端,第三电感L3的另一端分别连接第五电阻R5的一端、第四电阻R4的一端,第四电阻R4的另一端接第九电阻R9的一端,第五电阻R5的另一端通过第二电容C2连接到地;所述偏置模块接入第四电阻R4和第九电阻R9的公共端;第一电阻R1的另一端连接电源电压VDD;所述第三HBT管Q3的基极接第二电阻R2的另一端,第三HBT管Q3的基极还通过第三电容C3连接到地,第三HBT管Q3的集电极连接电源电压VDD,第三HBT管Q3的发射极经第三电阻R3后接地,第三HBT管Q3的发射极还连接所述检波模块的输出Vdet;所述第四HBT管Q4的基极分别接第五HBT管Q5的基极、第九电阻R9的另一端,第四HBT管Q4的集电极分别接第七电阻R7的一端、第五HBT管Q5的集电极,第四HBT管Q4的集电极还通过第六电阻R6连接电源电压VDD;所述第六HBT管Q6的基极接第七电阻R7的另一端,所述第六HBT管Q6的基极还通过第四电容C4接地,第六HBT管Q6的集电极接电源电压VDD,第六HBT管Q6的发射极经第八电阻R8后接地,第六HBT管Q6的发射极还接所述参考模块的输出Vref;所述第一HBT管Q1的发射极、第二HBT管Q2的发射极、第四HBT管Q4的集电极以及第五HBT管Q5的发射极均接地。

全文数据:

权利要求:

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