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一种无光刻LED芯片背面图形化及粗化工艺及LED芯片 

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申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司

摘要:本发明涉及半导体技术领域,具体公开一种无光刻LED芯片背面图形化及粗化工艺及LED芯片,该背面图形化及粗化工艺包括:提供外延片;采用第一研磨件对所述外延片的背面进行一次研磨,直至所述外延片的厚度减薄至预设厚度,且外延片的背面形成凹凸起伏的粗糙面;在所述粗糙面表面蒸镀金属镀层,并进行退火处理,所述金属镀层的厚度小于所述粗糙面的表面粗糙度,以使金属镀层的表面形成凹凸起伏的金属粗糙表面;采用第二研磨件对所述金属粗糙表面的凸起尖角处进行二次研磨,直至所述金属粗糙表面的凸起尖角处被磨至露出所述粗糙面,所述粗糙面露出的区域形成待粗化面;采用粗化液粗化所述待粗化面。整体工艺流程简单快捷,易于生产制造,无需黄光作业流程和湿法刻蚀流程,有效缩短生产周期,降低生产成本,且能够避免因背面涂胶曝光显影对片源的厚度要求所带来的碎片风险,增加生产良率。

主权项:1.一种无光刻LED芯片背面图形化及粗化工艺,其特征在于,包括:提供外延片;采用第一研磨件对所述外延片的背面进行一次研磨,直至所述外延片的厚度减薄至预设厚度,且外延片的背面形成凹凸起伏的粗糙面;在所述粗糙面表面蒸镀金属镀层,并进行退火处理,所述金属镀层的厚度小于所述粗糙面的表面粗糙度,以使金属镀层的表面形成凹凸起伏的金属粗糙表面;采用第二研磨件对所述金属粗糙表面的凸起尖角处进行二次研磨,直至所述金属粗糙表面的凸起尖角处被磨至露出所述粗糙面,所述粗糙面露出的区域形成待粗化面;采用粗化液粗化所述待粗化面。

全文数据:

权利要求:

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