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申请/专利权人：青岛旭芯互联科技研发有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司
摘要：本发明公开了一种LED芯片、提升LED芯片发光性能的外延片及制备方法，该外延片的结构包括衬底，以及依次沉积在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、超晶格结构层、多量子阱层、电子阻挡层和p型GaN层；超晶格结构层包括GaN层以及沉积在GaN层上的MoS2薄膜，本发明通过增加超晶格结构层，在GaN上镀MoS2薄膜，形成MoS2GaN异质结结构，增大电子和空穴的复合率，有效提高复合发光率，拓宽吸收范围。
主权项：1.一种提升LED芯片发光性能的外延片，其特征在于，包括衬底（1），以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层（2）、非掺杂GaN层（3）、n型GaN层（4）、应力释放层（5）、超晶格结构层（6）、多量子阱层（7）、电子阻挡层（8）和p型GaN层（9）；所述超晶格结构层（6）包括GaN层以及沉积在所述GaN层上的MoS2薄膜。
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百度查询： 青岛旭芯互联科技研发有限公司 东旭科技集团有限公司 东旭集团有限公司 LED芯片、提升LED芯片发光性能的外延片及制备方法
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