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申请/专利权人：安徽光智科技有限公司
摘要：一种MEMS工艺牺牲层的去除方法包括步骤：S1，准备成颗的MEMS芯片结构，各颗芯片结构具有读出电路衬底、读出电路衬底上的待释放的聚酰亚胺层以及聚酰亚胺层上的MEMS微结构；S2，采用微波电离O2+4％H2N2气体释放聚酰亚胺层。4％H2N2气体是一种安全、非易燃易爆的气体，氮气的稳定性质和氢气的弱还原作用对聚酰亚胺层释放工艺有较好的辅助效果，4％H2N2气体中的N2、H2气体对释放的聚酰亚胺层周围的MEMS微结构的其它构件膜层无刻蚀作用，成颗的MEMS芯片结构无塌陷，能有效保护MEMS镂空结构。聚酰亚胺层去除干净彻底，各颗芯片结构内无絮状物残留。成颗的MEMS芯片结构内及不同炉次间聚酰亚胺的释放均匀性好，精度可控性好、刻蚀时间短，工艺重复性、稳定性好。
主权项：1.一种MEMS工艺牺牲层的去除方法，其特征在于，包括步骤：S1，准备成颗的MEMS芯片结构，各颗芯片结构具有读出电路衬底、读出电路衬底上的待释放的聚酰亚胺层以及聚酰亚胺层上的MEMS微结构；S2，采用微波电离O2+4％H2N2气体释放聚酰亚胺层。
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