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申请/专利权人：世恩半导体科技(苏州)有限公司
摘要：本发明公开了一种叠栅介质氧化物异质结结构隧道场效应晶体管，涉及微电子技术领域，包括：沿第一方向依次层叠设置的源区、辅助势垒层、沟道区和漏区；第一栅氧化层和第二栅氧化层，分别位于辅助势垒层、沟道区和漏区沿第二方向的两侧，且第一栅氧化层和第二栅氧化层沿第一方向的正投影位于源区沿第一方向的正投影的两侧；其中，第一栅氧化层和第二栅氧化层包括第一材料层和第二材料层，第一材料层位于第二材料层靠近辅助势垒层、沟道区和漏区的一侧，第一栅氧化层和第二栅氧化层均为高介电材料。本发明能够抑制器件双极性行为并且提升器件的栅介质可靠性。
主权项：1.一种叠栅介质氧化物异质结结构隧道场效应晶体管，其特征在于，包括：沿第一方向依次层叠设置的源区、辅助势垒层、沟道区和漏区；第一栅氧化层和第二栅氧化层，分别位于所述辅助势垒层、沟道区和漏区沿第二方向的两侧，且所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层沿第一方向的正投影位于所述源区沿第一方向正投影的两侧；其中，所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层包括第一材料层和第二材料层，所述第一材料层位于所述第二材料层靠近所述辅助势垒层、所述沟道区和所述漏区的一侧，所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层均为高介电材料；其中，所述第一方向与所述第二方向相交。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 世恩半导体科技(苏州)有限公司 一种叠栅介质氧化物异质结结构隧道场效应晶体管
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