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申请/专利权人：日日新半导体架构股份有限公司
摘要：本发明公开了一种互补金属氧化物半导体电路。半导体基板主体具有原始半导体表面。以所述半导体基板主体为基础，形成第一主动区和第二主动区。p型金属氧化物半导体晶体管形成在所述第一主动区中。第一局部隔离层位于所述p型金属氧化物半导体晶体管下方且至少部分地将所述p型金属氧化物半导体晶体管与所述半导体基板主体隔离。n型金属氧化物半导体晶体管形成在所述第二主动区中。第二局部隔离层位于所述n型金属氧化物半导体晶体管下方且至少部分地将所述n型金属氧化物半导体晶体管与所述半导体基板主体隔离。因此，本发明可降低成本，改善漏电流和闩锁问题，解决传统绝缘层上覆硅晶片中的浮体效应。
主权项：1.一种金属氧化物半导体晶体管，其特征在于包含：一半导体基板主体，具有一半导体表面；一主动区，其中以所述半导体基板主体为基础，定义所述主动区；一栅极结构，位于所述主动区内且在所述半导体表面上方；一晶体管本体，位于所述主动区内且在所述半导体表面下方；一源极区，电耦接到所述晶体管本体内的通道区；一漏极区，电耦接到所述晶体管本体内的通道区；及一局部隔离层，沿着所述主动区的长度的方向延伸并在所述晶体管本体下方；其中所述局部隔离层至少部分隔离所述晶体管本体与所述半导体基板主体，且所述源极区的底部与所述漏极区的底部紧靠所述局部隔离层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日日新半导体架构股份有限公司 金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路
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