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一种p型铱镓氧合金外延薄膜及其制备方法 

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申请/专利权人:南京大学

摘要:本发明涉及一种p型铱镓氧合金外延薄膜及其制备方法,所述p型铱镓氧合金外延薄膜的化学式为IrxGa1‑x2O3,且x≤0.05;其晶相为α相、ε相、β相中的一种。α‑Ir2O3为六方刚玉结构,Ir3+离子仅占据八面体位置。在高Ga组分IrxGa1‑x2O3x≤0.05外延薄膜中,可通过Ir3+离子仅取代占据八面体位置的Ga3+离子的前提下实现晶相调控,具体通过改变Mist‑CVD中衬底温度实现IrxGa1‑x2O3x≤0.05外延薄膜的晶相调控,实现与α‑Ga2O3、ε‑Ga2O3、β‑Ga2O3晶型匹配且晶格失配极小的目标,是晶体结构复杂的Ga2O3的理想p型材料制备方案,为进一步开发Ga2O3在功率器件及射频器件领域的新型结构提供了坚实的基础。

主权项:1.一种p型铱镓氧合金外延薄膜,其特征在于,所述p型铱镓氧合金的化学式为IrxGa1-x2O3,其中,x≤0.05;所述p型铱镓氧合金的晶相为α相、ε相、β相中的一种。

全文数据:

权利要求:

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