龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：厦门理工学院
摘要：本发明属于半导体外延生长技术领域。本发明提供了一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法。本发明氧化镓薄膜的异质外延生长方法，包含如下步骤：将镓源水平置于反应温区，预处理后的衬底垂直置于沉积温区，通入氧源进行薄膜生长，然后对衬底上得到的氧化镓薄膜进行异位退火。本发明通过对衬底进行预处理，在氧化镓薄膜生长过程中形成台阶流生长模式，显著提高了氧化镓薄膜的结晶质量，有效避免薄膜中层错等结构缺陷的形成；通过分立温区，独立控制镓源和衬底的温度变化，实现了薄膜晶体质量和生长速率的高度统一，得到了生长速率高、生长均匀、平面光滑、高质量氧化镓薄膜。本发明的原料易得，价格低廉，设备简单，重复性和可靠性高。
主权项：1.一种氧化镓薄膜的异质外延生长方法，其特征在于，包含如下步骤：将镓源水平置于反应温区，预处理后的衬底垂直置于沉积温区，通入氧源进行薄膜生长，然后对衬底上得到的氧化镓薄膜进行异位退火。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门理工学院 一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号