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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
摘要：本发明涉及碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法。所述碳化硅外延基板包含：碳化硅外延基板，其包含：碳化硅单晶基板；和在所述碳化硅单晶基板上形成的外延层；所述碳化硅单晶基板具有4H‑SiC的多型，所述外延层的表面中的算术平均粗糙度为0.1nm以下，在所述表面中，胡萝卜状缺陷的缺陷密度为0.1个cm2以下，作为梯形凹陷的梯形缺陷的缺陷密度为0.1个cm2以下，当在俯视图中观察时，所述梯形缺陷各自包含与11‑20方向相交的上底部和下底部。所述外延层具有优异的表面性质，因此可以预期在所述外延层上形成的氧化硅膜的寿命和可靠性得到改善。
主权项：1.一种碳化硅外延基板，其包含：碳化硅单晶基板；和在所述碳化硅单晶基板上形成的外延层；所述碳化硅单晶基板具有4H-SiC的多型，所述外延层的表面中的算术平均粗糙度为0.1nm以下，在所述表面中，胡萝卜状缺陷的缺陷密度为0.1个cm2以下，作为梯形凹陷的梯形缺陷的缺陷密度为0.1个cm2以下，当在俯视图中观察时，所述梯形缺陷各自包含与11-20方向相交的上底部和下底部，所述上底部的宽度为0.1μm以上且100μm以下，并且所述下底部的宽度为50μm以上且5000μm以下，所述上底部包含突起部，并且所述下底部包含多个台阶聚并。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电气工业株式会社 碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法
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