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申请/专利权人：云南昆物新跃光电科技有限公司
摘要：本发明涉及一种实现彩色成像的InGaAs短波红外探测器芯片及其制备，属于红外探测器技术领域。所述芯片包括InGaAs外延片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜、金属电极以及Bayer滤波器，钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的InGaAs外延片一个表面上，与第一P型掺杂区相对应的钝化膜区域加工有欧姆孔，金属电极沉积在欧姆孔内以及欧姆孔周围的钝化膜上，且沉积的金属电极与第二P型掺杂区对应的钝化膜区域不接触，Bayer滤波器沉积在InGaAs外延片的另一个表面上。本发明通过对芯片内部结构的合理设计，能够实现目标在短波谱段的彩色成像，并抑制了像元区之间的串音，而且该芯片的制备工艺简单，成本低，推进了彩色短波红外探测器行业的发展。
主权项：1.一种实现彩色成像的InGaAs短波红外探测器芯片，其特征在于：所述红外探测器芯片包括InGaAs外延片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜、金属电极以及Bayer滤波器；第一P型掺杂区是在InGaAs外延片的像元中心区掺杂为P型，第二P型掺杂区是在相邻两个第一P型掺杂区之间的非掺杂区掺杂成为P型，第一P型掺杂区和第二P型掺杂区不接触；钝化膜为氧化硅膜、氮化硅膜或者氧化铝膜中的一种；金属电极从上到下是由金膜、铂膜、镍膜、钛膜按顺序组成的复合膜；Bayer滤波器为三种带通波段分别为1.1±0.1μm、1.3±0.1μm、1.55±0.1μm的滤波器；钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的InGaAs外延片一个表面上，与第一P型掺杂区相对应的钝化膜区域加工有欧姆孔，金属电极沉积在欧姆孔内以及欧姆孔周围的钝化膜上，且沉积的金属电极与第二P型掺杂区对应的钝化膜区域不接触，Bayer滤波器沉积在InGaAs外延片的另一个表面上；InGaAs外延片表面划痕数量小于3条，腐蚀坑密度小于25个cm2；钝化膜的厚度为100nm～700nm。
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权利要求：
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