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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231522A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/04
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种共掺杂Si和Be的InGaAs外延层的制备方法及应用，通过在生长InGaAs外延层的过程中精准控制掺杂源炉的开关，周期性交替或同时打开以实现两种掺杂元素的共同掺入InGaAs中，并调控掺杂源温度达到共掺杂的生长目的，在保证载流子迁移率高的同时精准控制掺杂浓度。通过这种方法生长的共掺杂InGaAs外延层运用于pn结电池结构中，所制备的热光伏电池器件性能和效率都有明显提升。表明，本申请的技术方案能够克服分子束外延生长弱掺杂浓度控制难度大的问题，为制造更稳定的pn结结构，并基于此制成的更加高效的、性能更优的热光伏电池提供了新的道路。
主权项：1.一种共掺杂Si和Be的InGaAs外延层的制备方法，其特征在于，包括：基于分子束外延设备，在生长InGaAs外延层的过程中，同时通入掺杂源Si和掺杂源Be进行掺杂，直至生长结束；或者，基于分子束外延设备，在生长InGaAs外延层的过程中，以一定时间范围交替通入掺杂源Si和掺杂源Be进行掺杂，直至生长结束。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 共掺杂Si和Be的InGaAs外延层、制备方法及应用
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