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申请/专利权人：北京工业大学
申请日：2024-03-12
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118099264A
主分类号：H01L31/108
分类号：H01L31/108;H01L31/0216;H01L31/18;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：一种提高突触性能的InGaAs纳米线人工突触器件及制备方法，属于半导体光电集成领域。在SiSiO2衬底上滴涂一层InGaAs纳米线，通过光刻工艺制备源漏电极，使得在源漏电极之间有一条InGaAs纳米线连接源漏电极，通过剥离之后制备出人工突触器件，InGaAs纳米线表面有一层S元素钝化的钝化层。采用硫钝化处理降低纳米线表面态的纳米线人工突触器件，显著提高其脉冲刺激下的突触性能和突触可塑性。其制备工艺成熟、简单、高效，能够应用于大规模器件制备，在光电器件、探测器和人工突触器件领域具有广阔的应用前景。
主权项：1.一种提高突触性能的InGaAs纳米线人工突触器件，其特征在于，具体结构为：在SiSiO2衬底上滴涂一层InGaAs纳米线，通过光刻工艺制备源漏电极，使得在源漏电极之间有一条InGaAs纳米线连接源漏电极，通过剥离之后制备出人工突触器件，InGaAs纳米线表面有一层S元素钝化的钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种提高突触性能的InGaAs纳米线人工突触器件及制备方法
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