首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

晶圆级过渡金属硫属化合物及其制备装置和方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:松山湖材料实验室

摘要:本申请涉及一种晶圆级过渡金属硫属化合物及其制备方法和装置。本申请的晶圆级过渡金属硫属化合物的制备装置中,在竖直方向上,用于支撑衬底的支撑位的位置高于第一源支撑面和第二源支撑面。使用该晶圆级过渡金属硫属化合物的制备装置进行晶圆级过渡金属硫属化合物的制备时,能够降低硫族源和过渡金属源在衬底表面的不均匀性。同时,本申请的晶圆级过渡金属硫属化合物的制备方法利用上述装置,源在竖直方向上沿逆重力方向传输到衬底表面,有效解决了大尺寸的晶圆级过渡金属硫属化合物制备时的均匀性较差的问题。同时可以通过增加衬底支撑位点的方式实现一次多片批量化生长。

主权项:1.一种晶圆级过渡金属硫属化合物的制备装置,其特征在于,包括:反应腔体;设置于所述反应腔体内部的第一源支撑管和第二源支撑管,所述第一源支撑管具有用于支撑硫族源的第一源支撑面,所述第二源支撑管具有用于支撑过渡金属源的第二源支撑面;第一进气管道和第二进气管道,所述第一进气管道和所述第二进气管道均贯穿所述反应腔体;所述第一进气管道连接于所述第一源支撑管以用于为所述第一源支撑管提供竖直向上的气体,所述第二进气管连接于所述第二源支撑管以用于为所述第二源支撑管提供竖直向上的气体;设置于所述反应腔体内部的中空的支撑架,所述支撑架具有用于支撑衬底的支撑位;在竖直方向上,所述支撑位的位置高于所述第一源支撑面和所述第二源支撑面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 松山湖材料实验室 晶圆级过渡金属硫属化合物及其制备装置和方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。