买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:西安工业大学
摘要:本发明公开了两步等离子电解氧化原位生长盔甲涂层结构的制备方法,包括将硅酸钠、EDTA、偏钒酸铵和氢氧化钠置于去离子水中,得到电解液Ⅰ,将六偏磷酸钠、Na2B4O7、KF和氢氧化钠置于去离子水中,得到电解液Ⅱ,将预处理后的钛合金磨盘置于电解液Ⅰ中,采用恒流控制模式进行等离子体电解氧化,得到表面具有PEO涂层的钛合金磨盘CS1;将钛合金磨盘CS1置于电解液Ⅱ中,采用恒流控制模式进行等离子体电解氧化,得到表面具有PEO涂层的钛合金磨盘CSP。本发明先利用硅酸电解质的纵向生长特性提供耐磨基底,再利用磷酸电解质的致密均匀和向内增长的特性来强化微口袋结构,实现降低材料表面粗糙度的同时增加耐磨性。
主权项:1.两步等离子电解氧化原位生长盔甲涂层结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,对钛合金磨盘表面进行预处理;步骤2,将硅酸钠、EDTA、偏钒酸铵和氢氧化钠置于去离子水中,搅拌至全部溶解后得到电解液Ⅰ;步骤3,将六偏磷酸钠、Na2B4O7、KF和氢氧化钠置于去离子水中,搅拌至全部溶解后得到电解液Ⅱ;步骤4,将预处理后的钛合金磨盘置于电解液Ⅰ中,采用恒流控制模式进行等离子体电解氧化,得到表面具有PEO涂层的钛合金磨盘CS1;步骤5,将步骤4得到的钛合金磨盘CS1置于电解液Ⅱ中,采用恒流控制模式进行等离子体电解氧化,得到表面具有PEO涂层的钛合金磨盘CSP。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西安工业大学 两步等离子电解氧化原位生长盔甲涂层结构的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。